In this paper, we research overheated carbon source application for carbon nanotube growth.
本文为过热碳原料应用于奈米碳管成长之研究.
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采用电沉积法制备碳 纳米管 钴磷基复合镀层.
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奈米碳管电晶体以往通常在电子工业常用的矽复合材料上面制作.
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This text describe the method of getting free-substrate aligned array carbon nanotube.
介绍了一种得到无基底阵列式排列碳纳米管膜的方法.
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在此基础上,首次成功的制作了新型 控制栅极 结构、碳纳米管阴极场致发射显示屏.
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Raman scattering technique is used to study the carbon nanotube synthesis system.
利用拉曼散射技术从多角度研究了碳纳米管合成系统.
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在理论上研究了碳纳米管管径、管长、尤其是碳纳米管阵列密度对场发射性能, 特别是对电场增强因子的影响.
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Carbon nanotube ( CNT ) is perfect material as field emission cathode.
碳纳米管 ( NT ) 为理想的场发射阴极材料.
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用少量的碳纳米管就能改善UHMWPE的抗冲击 、 抗静电及导电性能.
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铁蛋白催化剂颗粒尺寸仅仅数奈米, 有利于 单壁 碳管的生长.
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The carbon nanotube has been used as the electron source in a field emission display panel.
采用碳纳米管作为发射源的碳纳米管场致发射显示器是一种新型的平板显示器件.
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以镍片为基板材料,利用微波等离子体化学气相沉积法在低温条件下合成了纳米碳管膜.
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碳纳米管 ( CNT ) 是理想的场发射阴极材料.
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采用丝网印刷法制备了不同碳纳米管含量的 冷阴极.
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The result shows: the carbon nanotube homogeneous inlaid the brilliant afterbirth of Ni-P.
结果表明: 纳米碳管已均匀镶嵌在镍磷晶胞上.
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采用了超声的方法来切短露头于AAO范本的纳米碳管,增加纳米碳管膜的定向性.
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金纳米线嵌入碳纳米管压缩行为的分子动力学模拟
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